原标题：1.8亿元！巢湖又一重大项目签约

　　7月16日上午，安徽执珩半导体技术有限公司外延芯片生产项目投资合作协议书签约仪式在居巢经开区管委会举行。安徽执珩半导体技术有限公司董事长汤磊，巢湖市委常委、常务副市长王斌出席仪式并致辞。

　　汤磊在致辞中表示，未来将加大研发力度，争取在外延芯片领域发光发热，做好、做大、做强项目，为巢湖市经济发展做出贡献。同时，在项目后续推进过程中，希望巢湖市政府及相关部门一如既往地给予关心、支持。

　　王斌在致辞中表示，近年来，巢湖市不断创优“四蕞”营商环境，深入实施产业强市战略，着力培育产业新动能，充分发挥科技创新在供给侧结构性改革和经济转型升级中的关键作用。该项目的落户必将加快巢湖市创新驱动发展战略步伐，对于调整产业结构、壮大新兴产业集群、促进产业多元化布局、提升经济总量和发展质量具有积极的推动作用和强劲的带动效应。巢湖市将秉承“热情周到、便捷高效、勤勉务实”的理念，全力以赴保障项目建设，助推企业做大做强，促进经济发展提质增效。希望双方强化沟通，齐心协力，同舟共济，推动项目合作更加深入有效，为加快建设生态绿色的山水名城和创新开放的产业新城，率先打造优质优良宜居宜业的生态高地注入动力与活力。

　　千回百转西行路，苦尽甘来得真经。回顾该项目，自今年5月初正式接触到7月成功签约，经历了种种困难，尤其是遭遇新冠肺炎疫情，与项目投资方武汉鼎镓光电技术有限公司的人员往来和交流受到影响。面对困境，居巢经开区招商人员迎难而上，积极沟通，高效对接；市直各单位积极配合，理清项目在环保、科技、人才等方面政策，为后续协议的拟定打下良好基础，有力地推动了项目进程。

　　据悉，安徽执珩半导体技术有限公司是一家以氮化镓（GaN）半导体器件制备为核心的优势民企，掌握氮化镓深紫外光电芯片（GaN UVC—LED；GaN UVC—Detector）、氮化镓功率芯片（GaN Power IC）和氮化镓射频芯片（ GaN RF IC）3类芯片的外延片和电极生长工艺，技术完全自主可控，具备芯片量产和迭代研发的技术能力。

　　此次签约落户项目位于居巢经开区亚父园区，总投资约1.8亿元，其中固定资产投资1.5亿元，总占地面积约40亩，新建生产厂房约30000平方米，建设20条生产线（产能），项目全部投产后预计可实现产值2.5亿元。

　　（安徽居巢经济开发区供稿）返回搜狐，查看更多

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